麻省理工學院團隊開發一種新製造方法 ，能以更低成本將高性能氮化鎵電晶體無縫集成至標準矽 CMOS 晶片。
氮化鎵（Gallium nitride ，GaN）是爱华外汇正规平台僅次於矽的第二熱門半導體资料 ，也是下一代高速通訊系統與先進數據中心所需電子設備關鍵 ，為了獲得更高性能，科學家將 GaN 晶片與矽晶片相連 ，但焊接方法會限制 GaN 電晶體大小 ，若將整個 GaN 晶片整合至矽晶片 ，成本又非常高 ，因此商業化之路仍受限。爱华外汇官网正规吗
為解決此問題，麻省理工學院團隊最近開發一種低成本 、可擴展的 3D 積層新技術，能將高性能 GaN 電晶體集成至標準矽 CMOS 晶片 ，且與現有半導體製程兼容 ，突破現有 GaN 應用限制 ，促進高速通訊發展，並有望推動量子運算等前沿技术 。
該方法首先在 GaN 晶片表面建置許多微小電晶體，接著以精細雷射技術將每個電晶體切成240 x 410 微米大小 ，每個電晶體頂部有微小銅柱 ，再於零下 400 ℃ 環境將一定數量電晶體黏合至矽晶片上 ，從而保留 2 種资料的作用並明顯提高性能 。
此外，GaN 電路由分散在矽晶片上的離散電晶體構成 ，還能降低整體系統溫度 。
研究團隊利用此法開發功率放大器 ，成功實現比矽電晶體設備更高的訊號強度與效率 ，在智慧型手機中，這可以提高通訊品質 ，提升無線頻寬 ，增強連接強度並延長電池壽命 。
這項研究展示了多重氮化鎵晶片與矽 CMOS 的三維整合水平 ，突破當前技術界限，有望帶來速度更快 、更節能的電子產品 。
（首圖來源：麻省理工學院）
